文章目录

0 引 言

1 压阻式压力传感器敏感芯片设计与加工

1.1 压阻式压力传感器的工作原理

1.2 压力传感器敏感膜片设计

1.3 压力传感器芯片加工

2 芯片封装与测试

2.1 芯片的气密性封装

2.2 电极的引出及焊盘制作

2.3 芯片倒装式封装

3 性能测试

3.1 焊盘的电连接性测试

3.2 芯片的气密性测试

3.3 传感器整体性能测试

4 结 论

文章摘要:绝缘体上硅（SOI）压阻式压力传感器理论工作温度可达450℃,但传统的器件在高温、振动以及高腐蚀环境中电连接容易失效。开展基于无引线倒装式封装芯片方法的研究。首先,在完成SOI压力传感器芯片制备的基础上,提出了基于阳极键合工艺和玻璃通孔填充（TGV）工艺的倒装式封装方案;其次,研究带有图形的硼硅玻璃和SOI阳极键合工艺,以及基于电镀工艺的通孔金属填充工艺,并对键合强度、键合界面、金属填充效果以及电连接性能进行测试;最后,针对封装好的芯片在常温环境下进行传感器气密性、电连接性能、线性度以及重复度等性能进行测试,进一步验证无引线倒装式封装方法的可行性和有效性。

文章关键词:

论文作者:董志超 雷程 梁庭 薛胜方 宫凯勋 武学占 

论文DOI:10.13873/J.1000-9787(2021)11-0065-04

论文分类号:TP212

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