微电子领域应用的先进封装技术包括凸点互连技术、再布线、倒装片、3D堆叠等,而光刻与电镀工艺流程是先进封装技术中的重要环节。光刻工艺是运用光学、化学反应等原理将图形传递到单晶表面或介质层上。电镀工艺运用电化学反应,在金属介质层上镀出所需金属,构成金属导线。光刻作为电镀的前置基础,起到了承上启下的作用。现从光刻与边缘曝光系统出发对电镀工艺进行探讨,分析了光刻胶分辨率模型表达式和电镀工艺的公式模型以及边缘曝光系统对后续电镀的作用,同时对光刻工艺分辨率和电镀效率增强技术进行了调研。

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